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STGFW20V60DF

STGFW20V60DF
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Référence STGFW20V60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 40A 52W TO-3PF
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 48842 pcs
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Référence STGFW20V60DF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 40A 52W TO-3PF État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 48842 pcs Fiche technique STGFW20V60DF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Condition de test 400V, 20A, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 38ns/149ns énergie de commutation 200µJ (on), 130µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3PF Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 40ns Puissance - Max 52W
Emballage Tube Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack
Autres noms 497-15010-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 116nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 40A 52W Through Hole TO-3PF Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A

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