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STGW15M120DF3

STGW15M120DF3
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Référence STGW15M120DF3
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 30A 259W
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 20601 pcs
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Référence STGW15M120DF3 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 30A 259W État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 20601 pcs Fiche technique STGW(A)15M120DF3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A Condition de test 600V, 15A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 26ns/122ns énergie de commutation 550µJ (on), 850µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 270ns Puissance - Max 259W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-15057-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 226nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60A Courant - Collecteur (Ic) (max) 30A

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