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STGW40N120KD

STGW40N120KD
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Référence STGW40N120KD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 80A 240W TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence STGW40N120KD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 1200V 80A 240W TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4991 pcs Fiche technique STGW40N120KD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.85V @ 15V, 30A Condition de test 960V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 48ns/338ns énergie de commutation 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries PowerMESH™
Temps de recouvrement inverse (trr) 84ns Puissance - Max 240W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-10000-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 126nC
Description détaillée IGBT 1200V 80A 240W Through Hole TO-247-3 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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