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STGWA30H65FB

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Référence STGWA30H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT
État sans plomb / État RoHS
In Stock 49990 pcs
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Référence STGWA30H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 49990 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTGWA30H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/146ns énergie de commutation 151mJ (on), 293mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 Long Leads Séries HB
Puissance - Max 260W Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 149nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Through Hole TO-247 Long Leads Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60A

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