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STGWA40H65FB

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Référence STGWA40H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT
État sans plomb / État RoHS
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Référence STGWA40H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 33650 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTGW(T)40H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Condition de test 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/142ns énergie de commutation 498µJ (on), 363µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 Long Leads Séries HB
Puissance - Max 283W Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 210nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247 Long Leads Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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