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STL17N3LLH6

STL17N3LLH6
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Référence STL17N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 57716 pcs
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Référence STL17N3LLH6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 57716 pcs Fiche technique STL17N3LLH6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3) Séries DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 8.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 50W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-10880-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 17A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)

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