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STL19N60DM2

STL19N60DM2
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Référence STL19N60DM2
Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 47963 pcs
Référence Prix
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Référence STL19N60DM2 Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 47963 pcs Fiche technique STL19N60DM2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV Séries MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-16361-6 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)

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