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STL18NM60N

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Référence STL18NM60N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 38781 pcs
Référence Prix
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Référence STL18NM60N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 38781 pcs Fiche technique STL18NM60N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 6A, 10V Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 110W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-11847-1 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.1A (Ta), 12A (Tc)

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