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STL18N60M2

STL18N60M2
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Référence STL18N60M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 31726 pcs
Référence Prix
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Référence STL18N60M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 31726 pcs Fiche technique STL18N60M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV Séries MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 308 mOhm @ 4.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 57W (Tc)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-15146-6 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 791pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)

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