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STT3P2UH7

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Référence STT3P2UH7
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4139 pcs
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Référence STT3P2UH7 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4139 pcs Fiche technique STT3P2UH7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-6 Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 1.6W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte SOT-23-6
Autres noms 497-15156-1 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V Description détaillée P-Channel 20V 3A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)

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  • Partie#:STT0019
  • Fabricant:Microsemi
  • La description:DIODE SILICON CTRL
  • En stock:5054
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