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STT4P3LLH6

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Référence STT4P3LLH6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 233693 pcs
Référence Prix
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Référence STT4P3LLH6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 233693 pcs Fiche technique STT4P3LLH6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-6 Séries DeepGATE™, STripFET™ H6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 2A, 10V Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte SOT-23-6
Autres noms 497-15521-1 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 639pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-23-6 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)

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