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STT6N3LLH6

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Référence STT6N3LLH6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 109051 pcs
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Référence STT6N3LLH6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 109051 pcs Fiche technique STT6N3LLH6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-6 Séries DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 3A, 10V Dissipation de puissance (max) 1.6W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SOT-23-6
Autres noms 497-13591-2 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 283pF @ 24V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

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