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STT5N2VH5

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Référence STT5N2VH5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 20V SOT23-6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 220801 pcs
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Référence STT5N2VH5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 20V SOT23-6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 220801 pcs Fiche technique STT5N2VH5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±8V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-6 Séries STripFET™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 2A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 1.6W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SOT-23-6
Autres noms 497-13786-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 367pF @ 16V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée N-Channel 20V 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

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