EPC2107
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| Référence | EPC2107 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.344 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2107 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 59494 pcs | Fiche technique | EPC2107 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Package composant fournisseur | 9-BGA (1.35x1.35) | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V | Puissance - Max | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 9-VFBGA |
| Autres noms | 917-1168-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| type de FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.7A, 500mA |
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