EPC2106
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| Référence | EPC2106 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.319 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2106 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 59781 pcs | Fiche technique | EPC2106 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V | Puissance - Max | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-1110-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.7A |
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