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STTH810DI

STTH810DI
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Référence STTH810DI
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 66751 pcs
Référence Prix
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Référence STTH810DI Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 66751 pcs Fiche technique STTH810
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur TO-220Ins
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 85ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms 497-5163-5
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 1000V 8A Through Hole TO-220Ins Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A Capacité à Vr, F -
Numéro de pièce de base STTH810

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