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STTH812G

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Référence STTH812G
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4873 pcs
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Référence STTH812G Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4873 pcs Fiche technique STTH812
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 8A Tension - Ventilation D2PAK
Séries - État RoHS Tube
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Température d'utilisation - Jonction 100ns
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Référence fabricant STTH812G Description élargie Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK
Configuration diode 8µA @ 1200V La description DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr 2.2V @ 8A Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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