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STTH810G

STTH810G
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Référence STTH810G
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5528 pcs
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Référence STTH810G Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5528 pcs Fiche technique STTH810
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 8A Tension - Ventilation D2PAK
Séries - État RoHS Tube
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Température d'utilisation - Jonction 85ns
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Référence fabricant STTH810G Description élargie Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK
Configuration diode 5µA @ 1000V La description DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr 2V @ 8A Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 1000V (1kV)
Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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