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STTH812G-TR

STTH812G-TR
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Référence STTH812G-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 100225 pcs
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Référence STTH812G-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 100225 pcs Fiche technique STTH812
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2.2V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 1200V Package composant fournisseur D2PAK
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 100ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Autres noms 497-5264-1
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 1200V 8A Surface Mount D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr 8µA @ 1200V Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A
Capacité à Vr, F - Numéro de pièce de base STTH812

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