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STTH810GY-TR

STTH810GY-TR
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Référence STTH810GY-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 82627 pcs
Référence Prix
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Référence STTH810GY-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 82627 pcs Fiche technique STTH810-Y
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur D²PAK
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 85ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Autres noms 497-13436-1
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 1000V 8A Surface Mount D²PAK Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A Capacité à Vr, F -
Numéro de pièce de base STTH810

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