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STU3LN80K5

STU3LN80K5
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Référence STU3LN80K5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 117394 pcs
Référence Prix
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Référence STU3LN80K5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 117394 pcs Fiche technique Power Mgmt Guide BrochureSTx3N80K5STP3LN80K5, STU3LN80K5 Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur IPAK (TO-251) Séries MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25 Ohm @ 1A, 10V Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Autres noms 497-17295
STU3LN80K5-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 102pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.63nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 800V
Description détaillée N-Channel 800V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)

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