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STU3N65M6

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Référence STU3N65M6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 143611 pcs
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Référence STU3N65M6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 143611 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I-PAK Séries MDmesh™ M6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.75A, 10V Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 3.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Tc)

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