TPH3206PSB
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| Référence | TPH3206PSB |
|---|---|
| Fabricant | Transphorm |
| La description | MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.081 | $3.673 | $3.347 | |||
| 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs | |||
| $3.02 | $2.776 | $2.531 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TPH3206PSB | Fabricant | Transphorm |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 14952 pcs | Fiche technique | TPH3206PSB Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±18V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V | Dissipation de puissance (max) | 81W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
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