TPH3208PD
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| Référence | TPH3208PD |
|---|---|
| Fabricant | Transphorm |
| La description | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.368 | $3.931 | $3.582 | $3.232 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TPH3208PD | Fabricant | Transphorm |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 9871 pcs | Fiche technique | TPH3208PS |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | TO-220 | Séries | - |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
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