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TPH3208PS

TPH3208PS
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Référence TPH3208PS
Fabricant Transphorm
La description MOSFET N-CH 650V 20A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 11777 pcs
Référence Prix
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Référence TPH3208PS Fabricant Transphorm
La description MOSFET N-CH 650V 20A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 11777 pcs Fiche technique TPH3208PS
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Vgs (Max) ±18V La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur TO-220 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13A, 8V Dissipation de puissance (max) 96W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)

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