TPH3208LS
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| Référence | TPH3208LS |
|---|---|
| Fabricant | Transphorm |
| La description | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 60 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.152 | $4.636 | $4.224 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TPH3208LS | Fabricant | Transphorm |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 7767 pcs | Fiche technique | TPH3208L Series |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±18V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | PQFN (8x8) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V | Dissipation de puissance (max) | 96W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | 3-PowerDFN |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
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