TPH3207WS
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| Référence | TPH3207WS |
|---|---|
| Fabricant | Transphorm |
| La description | MOSFET N-CH 650V 50A TO247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.15 | $13.089 | $12.028 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TPH3207WS | Fabricant | Transphorm |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 50A TO247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 2997 pcs | Fiche technique | TPH3207WS Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.65V @ 700µA |
| Vgs (Max) | ±18V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | TO-247 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 32A, 8V | Dissipation de puissance (max) | 178W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2197pF @ 400V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
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