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STGWA50M65DF2

STGWA50M65DF2
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Référence STGWA50M65DF2
Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 39874 pcs
Référence Prix
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Référence STGWA50M65DF2 Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 39874 pcs Fiche technique STGWA50M65DF2 Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Condition de test 400V, 50A, 6.8 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 42ns/130ns énergie de commutation 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 Long Leads Séries M
Temps de recouvrement inverse (trr) 162ns Puissance - Max 375W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-16973 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 150nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247 Long Leads
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 150A Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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