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STGWA80H65DFB

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Référence STGWA80H65DFB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 14860 pcs
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Référence STGWA80H65DFB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 14860 pcs Fiche technique STGx(x)80H65DFB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Condition de test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns énergie de commutation 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 Long Leads Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 85ns Puissance - Max 469W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-16007-5
STGWA80H65DFB-ND		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 414nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 Long Leads Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120A

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