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STGWF30NC60S

STGWF30NC60S
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Référence STGWF30NC60S
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 35A 79W TO3P
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 45469 pcs
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Référence STGWF30NC60S Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 35A 79W TO3P État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 45469 pcs Fiche technique STGx30NC60S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A Condition de test 480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 21.5ns/180ns énergie de commutation 300µJ (on), 1.28mJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries PowerMESH™
Puissance - Max 79W Emballage Tube
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack Autres noms 497-10709-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 96nC
Description détaillée IGBT 600V 35A 79W Through Hole TO-3P Courant - Collecteur pulsée (Icm) 150A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35A Numéro de pièce de base STG*30NC

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