STP35N60M2-EP
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| Référence | STP35N60M2-EP |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.943 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STP35N60M2-EP | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 31517 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | - | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220 | Séries | MDmesh™ M2-EP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Dissipation de puissance (max) | - |
| Package / Boîte | TO-220-3 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V Through Hole TO-220 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
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