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STP360N4F6

STP360N4F6
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Référence STP360N4F6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 40V TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 19665 pcs
Référence Prix
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Référence STP360N4F6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 40V TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 19665 pcs Fiche technique STI360N4F6, STP360N4F6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 60A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-13972-5
STP360N4F6-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17930pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V Description détaillée N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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