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STP36N55M5

STP36N55M5
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Référence STP36N55M5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N CH 550V 33A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 20642 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
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Référence STP36N55M5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N CH 550V 33A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 20642 pcs Fiche technique STx36N55M5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 16.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-13275-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2670pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 550V
Description détaillée N-Channel 550V 33A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)

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