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STP35N65M5

STP35N65M5
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Référence STP35N65M5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 27A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4441 pcs
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Référence STP35N65M5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4441 pcs Fiche technique STx35N65M5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 13.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-10080-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 83nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)

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