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STGW80H65FB

STGW80H65FB
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Référence STGW80H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 120A 469W TO-247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 20902 pcs
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Référence STGW80H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 120A 469W TO-247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 20902 pcs Fiche technique STGW(A,T)80H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Condition de test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns énergie de commutation 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries -
Puissance - Max 469W Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Autres noms 497-15134-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 414nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A Courant - Collecteur (Ic) (max) 120A

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