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STGW60H65FB

STGW60H65FB
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Référence STGW60H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 80A 375W TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 20113 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		600 pcs
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Référence STGW60H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 80A 375W TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 20113 pcs Fiche technique STGW(T)60H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Condition de test 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 51ns/160ns énergie de commutation 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 Séries -
Puissance - Max 375W Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Autres noms 497-14037-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 306nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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