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STGW60H65DFB-4

STGW60H65DFB-4
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Référence STGW60H65DFB-4
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT
État sans plomb / État RoHS
In Stock 15875 pcs
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$2.056

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Référence STGW60H65DFB-4 Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 15875 pcs Fiche technique STGW60H65DFB-4
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A Condition de test 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 65ns/261ns énergie de commutation 346µJ (on), 1.161mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-4L Séries HB
Temps de recouvrement inverse (trr) 60ns Puissance - Max 375W
Package / Boîte TO-247-4 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 306nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247-4L
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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