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STGW60H65DRF

STGW60H65DRF
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Référence STGW60H65DRF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 120A 420W TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 15935 pcs
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Référence STGW60H65DRF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 120A 420W TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 15935 pcs Fiche technique STGW60H65DRF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 60A Condition de test 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 85ns/178ns énergie de commutation 940µJ (on), 1.06mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 19ns Puissance - Max 420W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-13166 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 217nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 120A 420W Through Hole TO-247 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120A

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