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STGWT15H60F

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Référence STGWT15H60F
Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 90048 pcs
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Référence STGWT15H60F Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 90048 pcs Fiche technique STGWT15H60F Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Condition de test 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 24.5ns/118ns énergie de commutation 136µJ (on), 207µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries H
Puissance - Max 115W Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms 497-17620 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) Not Applicable
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 81nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 30A 115W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60A Courant - Collecteur (Ic) (max) 30A

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