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STGWT20H60DF

STGWT20H60DF
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Référence STGWT20H60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 40A 167W TO3PF
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 43755 pcs
Référence Prix
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Référence STGWT20H60DF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 40A 167W TO3PF État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 43755 pcs Fiche technique STGx(x)20V60F
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Condition de test 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 42.5ns/177ns énergie de commutation 209µJ (on), 261µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 90ns Puissance - Max 167W
Emballage Tube Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms 497-13961-5
STGWT20H60DF-ND		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 115nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A

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