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STGWT20V60DF

STGWT20V60DF
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Référence STGWT20V60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 60797 pcs
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Référence STGWT20V60DF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 40A 167W TO3P-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 60797 pcs Fiche technique STGx(x)20V60DF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Condition de test 400V, 20A, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 38ns/149ns énergie de commutation 200µJ (on), 130µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 40ns Puissance - Max 167W
Emballage Tube Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms 497-13769-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 116nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A

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