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STGWT30HP65FB

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Référence STGWT30HP65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 60A TO3P
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 40013 pcs
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Référence STGWT30HP65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT TRENCH 650V 60A TO3P État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 40013 pcs Fiche technique STGWT30HP65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/146ns énergie de commutation 293µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries HB
Temps de recouvrement inverse (trr) 140ns Puissance - Max 260W
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 149nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A Courant - Collecteur (Ic) (max) 60A

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