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STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB
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Référence STGWT40H65DFB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 40598 pcs
Référence Prix
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Référence STGWT40H65DFB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 40598 pcs Fiche technique STGW(T)40H65DFB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Condition de test 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/142ns énergie de commutation 498µJ (on), 363µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 62ns Puissance - Max 283W
Emballage Tube Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms 497-14229-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 210nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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