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STGWT40H65FB

STGWT40H65FB
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Référence STGWT40H65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 35902 pcs
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Référence STGWT40H65FB Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 35902 pcs Fiche technique STGW(T)40H65FB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Condition de test 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/142ns énergie de commutation 498mJ (on), 363mJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries -
Puissance - Max 283W Emballage Tube
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 Autres noms 497-14230-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 210nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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