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STGWT40HP65FB

STGWT40HP65FB
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Référence STGWT40HP65FB
Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 83238 pcs
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Référence STGWT40HP65FB Fabricant STMicroelectronics
La description TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 83238 pcs Fiche technique STGWT40HP65FB Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Condition de test 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/142ns énergie de commutation 363µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries HB
Temps de recouvrement inverse (trr) 140ns Puissance - Max 283W
Emballage Tube Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms 497-16972 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 210nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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