STGWT60H65FB
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| Référence | STGWT60H65FB |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.959 | $1.662 | $1.44 | $1.226 | $1.034 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STGWT60H65FB | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 32321 pcs | Fiche technique | STGW(T)60H65FB |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A | Condition de test | 400V, 60A, 5 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 51ns/160ns | énergie de commutation | 1.09mJ (on), 626µJ (off) |
| Package composant fournisseur | TO-3P | Séries | - |
| Puissance - Max | 375W | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 | Autres noms | 497-14233-5 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard | type de IGBT | Trench Field Stop |
| gate charge | 306nC | Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 240A | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 80A |
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- Partie#:
CPS16-LA00A10-SNCSNCWF-RI0MCVAR-W1035-S - Fabricant:
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5421