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STGWT60V60DF

STGWT60V60DF
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Référence STGWT60V60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 80A 375W TO3P
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 27696 pcs
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Référence STGWT60V60DF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 80A 375W TO3P État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 27696 pcs Fiche technique STGW(A,T)60V60DF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Condition de test 400V, 60A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 60ns/208ns énergie de commutation 750µJ (on), 550µJ (off)
Séries - Temps de recouvrement inverse (trr) 74ns
Puissance - Max 375W Emballage Tube
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 Autres noms 497-13836-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 334nC Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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