STGWT80H65DFB

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| Référence | STGWT80H65DFB |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.752 | $2.37 | $2.057 | $1.792 | $1.56 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STGWT80H65DFB | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 22178 pcs | Fiche technique | STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A | Condition de test | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 84ns/280ns | énergie de commutation | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Package composant fournisseur | TO-3P | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 85ns | Puissance - Max | 469W |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Autres noms | 497-14234-5 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | Trench Field Stop | gate charge | 414nC |
| Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P | Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 240A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 120A |
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