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STGWT80V60DF

STGWT80V60DF
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Référence STGWT80V60DF
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 120A 469W TO-3P
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 17554 pcs
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Référence STGWT80V60DF Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 120A 469W TO-3P État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 17554 pcs Fiche technique STGW(T)80V60DF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A Condition de test 400V, 80A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 60ns/220ns énergie de commutation 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Package composant fournisseur TO-3P Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 60ns Puissance - Max 469W
Emballage Tube Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms 497-14563-5
STGWT80V60DF-ND		 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop gate charge 448nC
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120A

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