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STGW50HF60SD

STGW50HF60SD
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Référence STGW50HF60SD
Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 110A 284W TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 23987 pcs
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Référence STGW50HF60SD Fabricant STMicroelectronics
La description IGBT 600V 110A 284W TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 23987 pcs Fiche technique STGW50HF60SD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/220ns énergie de commutation 250µJ (on), 4.2mJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 67ns Puissance - Max 284W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-11089-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 200nC
Description détaillée IGBT 600V 110A 284W Through Hole TO-247-3 Courant - Collecteur pulsée (Icm) 130A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 110A

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